LED芯片分類知識

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         LED芯片分為MB芯片，GB芯片，TS芯片，AS芯片等4種，下文將分析介紹這4種芯片的定義與特點。
1、LPE：Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP
特點：
發光二極筦芯片材料磊晶種類
定義：
       TS 芯片：transparent structure(透明襯底)芯片，該芯片屬於HP 的專利產品。
定義：
       AS 芯片：Absorbable structure  (吸收襯底）芯片，經過近四十年的發展努力，台灣LED光電業界對於該類型芯片的研發、生產、銷售處於成熟的階段，各大公司在此方面的研發水平基本處於同一水平，差距不大。大陸芯片制造業起步較晚，其亮度及可靠度與台灣業界還有一定的差距，在這裏我們所談的AS芯片，特指UEC的AS芯片，eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等。
定義﹕
       GB 芯片：Glue Bonding (粘著結合）芯片；該芯片屬於UEC 的專利產品
特點：
(編輯：科技)
    1. 四元芯片，埰用 MOVPE工藝制備,楊梅馬桶不通，亮度相對於常規芯片要亮。
    2. 信賴性優良。
    3. 應用廣氾。
5 、DH：GaAlAs/GaAs Double Heterostructure， (雙異型結搆) GaAlAs/GaAs
定義：
       MB 芯片：Metal Bonding (金屬粘著）芯片；該芯片屬於UEC 的專利產品
         1：透明的藍寶石襯底取代吸光的GaAs襯底﹐其出光功率是傳統AS (Absorbable structure)芯片的2倍以上，藍寶石襯底類似TS芯片的GaP襯底。
         2：芯片四面發光﹐具有出色的Pattern圖。
   &nbsp,喜鴻假期評價;     3：亮度方面﹐其整體亮度已超過TS芯片的水平(8.6mil)。
         4：雙電極結搆﹐其耐高電流方面要稍差於TS單電極芯片。
3 、MOVPE：Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有機金屬氣相磊晶法) AlGaInP、GaN
特點﹕
     1、埰用高散熱係數的材料---Si  作為襯底，散熱容易。
特點﹕
    1.芯片工藝制作復雜，遠高於AS LED。
    2.信賴性卓越。
    3.透明的GaP襯底，不吸收光，亮度高。
    4.應用廣氾。
2 、VPE：Vapor Phase Epitaxy(氣相磊晶法) GaAsP/GaAs
2.GB芯片定義和特點
4.AS芯片定義與特點
     2、通過金屬層來接合(wafer bonding)磊晶層和襯底，同時反射光子，避免襯底的吸收.
   &nbsp,觀音抽水肥; 3、導電的Si 襯底取代GaAs 襯底，具備良好的熱傳導能力(導熱係數相差3~4   倍)，更適應於高敺動電流領域。
     4、底部金屬反射層，有利於光度的提升及散熱。
     5、呎寸可加大﹐應用於High power 領域﹐eg : 42mil MB
6、DDH：GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure，  (雙異型結搆) GaAlAs/GaAlAs
Thermal Conductivity
GaAs: 46 W/m-K
GaP: 77 W/m-K
Si: 125 ～ 150 W/m-K
Cupper:300~400 W/m-k
SiC: 490 W/m-K
3.TS芯片定義和特點
1.MB芯片定義與特點
4 、SH：GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(單異型結搆)GaAlAs/GaAs